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관리번호 특허명 특허명 (영문) 주 발명자 발명부서 6T 기술분류 출원국가 출원번호 등록번호
P2006161-03-JP 고전자 이동도 트랜지스터 제조 방법 A method for the fabrication of HEMT(high electron mobility transistor) 정윤하 미래IT융합연구소 BT 일본 2007-273700
P2006161-02-US 고전자 이동도 트랜지스터 제조 방법 T-GATE FORMING METHOD AND METAMORPHIC HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR FABRICATING METHOD USING SAME 정윤하 미래IT융합연구소 IT 미국 11/896,660
P2006122-04-US 반도체 소자의 게이트 형성 방법 및 그 게이트 구조 T-GATE FORMING METHOD FOR HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND GATE STRUCTURE THEREOF 정윤하 미래IT융합연구소 IT 미국 13/051,277
P2006122-03-JP 반도체 소자의 게이트 형성 방법 및 그 게이트 구조 T-GATE FORMING METHOD FOR HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND GATE STRUCTURE THEREOF 정윤하 미래IT융합연구소 IT 일본 2007-50000 4838171
P2006122-02-US 반도체 소자의 게이트 형성 방법 및 그 게이트 구조 T-GATE FORMING METHOD FOR HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND GATE STRUCTURE THEREOF 정윤하 미래IT융합연구소 IT 미국 11/700,946 7,932,540
P2009365-03-JP 분포 도허티 전력 증폭기 Distributed Doherty Power Amplifier 정윤하 미래IT융합연구소 EC 일본 2010-269238
P2009365-02-US 분포 도허티 전력 증폭기 Distributed Doherty Power Amplifier 정윤하 미래IT융합연구소 EC 미국 12/964,206 8,305,141
P2010191-03-US 구동증폭기를 이용한 3-웨이 도허티 전력증폭기 3-way Doherty Power Amplifier using driving amplifier 정윤하 미래IT융합연구소 IT 미국 13/286,818 8,400,216
P2010191-02-EP 구동증폭기를 이용한 3-웨이 도허티 전력증폭기 3-way Doherty Power Amplifier using embedded drivers 정윤하 미래IT융합연구소 IT EPO 11187441.8 2451074
P2010191-07-GB 구동증폭기를 이용한 3-웨이 도허티 전력증폭기 3-way Doherty Power Amplifier using embedded drivers 정윤하 미래IT융합연구소 ET 영국 11187441.8 2451074
P2010191-06-DE 구동증폭기를 이용한 3-웨이 도허티 전력증폭기 3-way Doherty Power Amplifier using embedded drivers 정윤하 미래IT융합연구소 독일 11187441.8 2451074
P2010191-04-JP 구동증폭기를 이용한 3-웨이 도허티 전력증폭기 3-way Doherty Power Amplifier using embedded drivers 정윤하 미래IT융합연구소 IT 일본 2011-240187 5232288
P2011001-06-GB 고주파용 3-스테이지 질화 갈륨계 고전자 이동도 트랜지스터(GaN HEMT) 도허티 전력증폭기 Three-Stage GaN HEMT doherty power amplifier for high frequency applications 정윤하 미래IT융합연구소 영국 EP12150327.0 2493069
P2011001-05-DE 고주파용 3-스테이지 질화 갈륨계 고전자 이동도 트랜지스터(GaN HEMT) 도허티 전력증폭기 Three-Stage GaN HEMT doherty power amplifier for high frequency applications 정윤하 미래IT융합연구소 IT 독일 EP12150327.0 2493069
P2011001-04-JP 고주파용 3-스테이지 질화 갈륨계 고전자 이동도 트랜지스터(GaN HEMT) 도허티 전력증폭기 Three-Stage GaN HEMT doherty power amplifier for high frequency applications 정윤하 미래IT융합연구소 IT 일본 2012-001497 5122688
P2011001-03-US 고주파용 3-스테이지 질화 갈륨계 고전자 이동도 트랜지스터(GaN HEMT) 도허티 전력증폭기 Three-Stage GaN HEMT doherty power amplifier for high frequency applications 정윤하 미래IT융합연구소 미국 13345163 8,466,746
P2011001-02-EP 고주파용 3-스테이지 질화 갈륨계 고전자 이동도 트랜지스터(GaN HEMT) 도허티 전력증폭기 Three-Stage GaN HEMT doherty power amplifier for high frequency applications 정윤하 미래IT융합연구소 EPO EP12150327.0
P2011209-05-JP 태양전지 및 이의 제조방법 SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME 정윤하 미래IT융합연구소 NT 일본 2014-527062 5820075
P1995037-01-KR Si-델타도핑된 GaAs 전자공급층을 가진 AlGaAs/InGaAs P-HEMT의 제조방법 정윤하 미래IT융합연구소 EC 대한민국
P1995036-01-KR 델타토핑된 양자우물 홀소자의 제조방법 정윤하 미래IT융합연구소 EC 대한민국
P2003105-01-KR 반도체 소자 및 그 제조방법 Semiconductor and manufacturing method thereof 정윤하 미래IT융합연구소 EC 대한민국 10-2003-0082637 10-0554160
P2003104-01-KR 반도체 소자 및 그 제조방법 Semiconductor and manufacturing method thereof 정윤하 미래IT융합연구소 EC 대한민국 10-2003-0082636 10-0509940
P2005105-01-KR 알에프 전력증폭기의 위상 변화 측정장치 및 그 방법 Article in Korean 정윤하 미래IT융합연구소 EC 대한민국 10-2005-0107022 10-0766201
P2006122-01-KR 반도체 소자의 게이트 형성 방법 및 그 게이트 구조 Method for forming gate of semicondutor sevice and its gate structure 정윤하 미래IT융합연구소 EC 대한민국 10-2006-0108497 10-0795242
P2006161-01-KR 고전자 이동도 트랜지스터 제조 방법 A method for the fabrication of HEMT(high electron mobility transistor) 정윤하 미래IT융합연구소 EC 대한민국 10-2007-0009217 10-0853166